61.3 HV蝶形控制閥具備卓絕的壓力控制性能。憑借其快速精細的動作控制器（響應時間0.1秒），該閥門是化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）工藝精細控制的理想解決方案。閥板作為節(jié)流元件，可調(diào)節(jié)閥門開度的導通能力。61.3型閥門內(nèi)置的壓力控制器能快速計算所需閥板位置，以Fastest速度達到設(shè)定壓力。

該閥門專為含顆粒氣流的惡劣下游工藝設(shè)計，即使在高顆粒負荷和碎屑堆積條件下仍能保持全功能運行。

61.3系列已在數(shù)千個嚴苛工藝條件下成功應用，其卓絕可靠性經(jīng)實踐驗證。憑借堅固結(jié)構(gòu)、直裝選項及簡易維護特性，該系列產(chǎn)品整體滿足各類需求。

通過提供多種設(shè)計選項——包括閥體材質(zhì)、表面處理、彈性體材料、法蘭連接方式、特殊尺寸規(guī)格以及特殊控制算法（自適應控制、固定PI下游控制/軟泵模式）——該系列產(chǎn)品可輕松集成至各類真空應用場景。

61.3 HV蝶形控制閥提供鋁制或不銹鋼材質(zhì)，配備ISO-KF和ISO-F標準法蘭接口?？杉煽蛻舳ㄖ品ㄌm及特殊功能，例如帶保溫層的集成加熱器?？筛鶕?jù)需求提供多種FFKM/FKM彈性體（FKM為標準配置）。

卓絕的壓力控制

極快的運行速度

內(nèi)置軟件支持本地操作

在惡劣工藝條件下仍能可靠運行

更優(yōu)的工藝可控性

高運行時間/無限制性能

低運營成本

半導體制造

刻蝕設(shè)備：在Cl?/HBr等離子體環(huán)境中快速切斷腐蝕性氣體，Al?O?鍍層蝶板與雙密封結(jié)構(gòu)確保長期耐腐蝕性。

原子層沉積（ALD）：超快響應（＜30ms）匹配前驅(qū)體脈沖注入，漏率＜5×10?¹? mbar·l/s，保障薄膜純度。

離子注入機：無磁化鈦合金材質(zhì)避免束流干擾，XHV級密封維持真空環(huán)境穩(wěn)定。

科研真空系統(tǒng)

適用于高真空或ultra-high真空環(huán)境，如同步輻射光源、表面分析儀器等，提供穩(wěn)定可靠的真空隔離與控制。

光伏鍍膜

在真空鍍膜工藝中控制氣體流量，確保薄膜均勻性，適應大規(guī)模生產(chǎn)需求。